在范德华（vdW）层状半导体中实现无残留、理想的欧姆接触，仍然是二维电子学领域最关键的挑战之一。一个能够同时适用于n型和p型范德华半导体的通用欧姆接触平台，至今仍是学术界尚未解决的重要问题。为全面建立这一接触平台，我们的目标是：

i）在接触界面构建优化的隧穿势垒，使其能够同时为n型和p型范德华半导体实现欧姆接触行为；

ii）基于新型工程化欧姆接触，设计并制备采用范德华层状半导体的高迁移率场效应晶体管（FET）；

iii）突破n型和p型二维场效应晶体管的热亚阈值摆幅极限，从而实现高效低功耗运行。

若上述目标得以实现，这一突破将克服二维半导体技术中的一项基础性限制，推动范德华层状半导体更接近后硅时代电子器件的实际应用。通过构建通用欧姆接触平台，我们的研究有望推动下一代超高速、低功耗晶体管的发展，在载流子迁移率和能效方面实现传统硅基电子器件难以匹敌的性能。

这项工作对未来半导体产业具有深远影响，包括柔性电子、节能计算以及量子器件集成等重要方向。