来源：Institute of LQM 作者：吴沁柯 发布：2026-03-12 点击量：
型号（GSE-C200），厂家（NAURA），位置（超净间）
超级用户（陆晶晶 / 吴沁科），联系方式（15377533309 / 微信：miaomer_777；18428381656 / 微信：wuqinke122832）
简介: 该设备为高性能反应离子刻蚀系统（ICP-RIE Etcher），专用于SiO₂、SiN等绝缘材料的微纳加工。主要应用于先进逻辑芯片、存储芯片及异质集成器件制造，可实现高深宽比结构刻蚀与高精度图形转移，适用于FinFET/GAA器件栅间隔层刻蚀、3D NAND通道刻蚀及TSV绝缘层加工等工艺。
具体参数:
晶圆尺寸：≤8英寸
气路系统：8路气体（Ar、O₂、CF₄、SF₆、CHF₃、He、C₄F₆、N₂或Cl₂）
刻蚀材料：SiO₂、SiN、聚合物、III-V族材料等
RF射频电源：
上电极：13.56 MHz，1500 W
下电极：13.56 MHz，300 W
刻蚀均匀性：±5%
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