感应耦合等离子体刻蚀系统2（原子层刻蚀，ALE）

• 型号（GSE-S200），厂家（NAURA），位置（超净间）   

  超级用户（陆晶晶 / 吴沁柯），联系方式（15377533309 / 微信：miaomer_777；18428381656 / 微信：wuqinke122832）

• 简介: 该设备为原子层刻蚀系统（Atomic Layer Etching, ALE），可在硅片、III-V族化合物半导体、金属及介电材料等多种基底上实现低损伤、原子级精度刻蚀。特别适用于先进制程中高k介质/金属栅结构刻蚀、微纳光子器件三维结构加工以及MEMS器件释放工艺中脆弱结构的精密处理。该ALE系统通过两步交替的自限制反应实现逐层原子去除：包括表面修饰（如氟化/氯化）以及挥发性产物去除，从而实现精确的层级刻蚀控制。

• 具体参数:            

      晶圆尺寸：≤8英寸

            气路系统：8路气体（Ar、O₂、CF₄、SF₆、CHF₃、He、C₄F₆、N₂或Cl₂）

            刻蚀材料：SiO₂、SiN、聚合物、III-V族材料等

            RF射频电源：

                        上电极：13.56 MHz，1500 W（0.1 W分辨）

                        下电极：13.56 MHz，300 W（脉冲可控）

            刻蚀均匀性：±4%（SiO₂）

            低损伤能力：AlGaN损伤层 < 2 nm