来源：Institute of LQM 作者：宋兴娟 发布：2026-03-12 点击量：
型号（150RH），厂家（Kemin），位置（超净间）
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简介: 原子层沉积（ALD）是一种基于前驱体气体顺序脉冲引入、依靠表面自限制反应逐层生长薄膜的超高精度薄膜沉积技术。该方法能够实现埃米级厚度控制，获得高度均匀且覆盖性极佳的薄膜涂层，适用于半导体器件及先进纳米材料的制备。
具体参数
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双腔体真空结构设计
超高深宽比沉积能力：>100:1
片内均匀性：≤ ±1%（10 nm Al₂O₃，6英寸晶圆）
可沉积薄膜类型：Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、TiO₂等多种氧化物材料
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