来源:Institute of LQM 作者:吴沁柯 发布:2026-03-12 点击量:
型号(JSM-IT810),厂家(JEOL),位置(结构表征室1)
超级用户(向兴),联系方式(18040516270 / 微信:yiyunjin16)
简介: 该设备主要用于多种材料的电子显微分析,包括金属、非金属、纳米材料及半导体材料等。在高真空条件下,可获得超高分辨率的二次电子像(SEI)与背散射电子像(BEI),并可结合能谱(EDS)与电子背散射衍射(EBSD)进行成分与晶体结构分析。
具体参数:
二次电子像分辨率:≤0.6 nm(15 kV);≤1.1 nm(1 kV)
分析条件下分辨率:≤3.0 nm(15 kV,工作距离10 mm,探针电流5 nA)
加速电压范围:0.01 – 30 kV
放大倍率:×10 – 2,000,000
样品尺寸:最大 ≥170 mm(直径)× 45 mm(高度)(5 mm工作距离条件下)
EDS探测器有效面积:60 mm²
EBSD性能:在线解析最高校准速度600 pps,图案分辨率可保持312 × 256像素
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