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电子束光刻系统 1

来源:Institute of LQM      作者:宋兴娟    发布:2026-03-12    点击量:

  • 型号(Pioneer),厂家(Raith),位置(超净间)   

    超级用户(宋兴娟),联系方式(15527359929 / 微信:juan921217826)

  • 简介

   该设备主要用于在各种基底(如半导体材料、纳米材料及二维材料)上进行高精度纳米加工与电子束光刻制备。在高真空条件下可实现超高分辨率纳米结构图形化及精确多层对准,是低维材料器件加工与纳电子器件制备的关键设备。

  • 具体参数:

    热场发射(TFE)电子源技术

    束流能量范围:0.02 kV – 30 kV

    世界级最小电子束尺寸,可实现亚10 nm加工能力

    光刻分辨率:最小线宽可达8 nm(保证值)

    配备多种二次电子(SE)探测器用于分析型SEM成像

    先进标记识别与自动对准系统

    图形发生器频率:20 MHz

    写场尺寸连续可调:0.5 μm – 2 mm

    配备邻近效应校正(Proximity Effect Correction, PEC)软件系统



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